Макет страницы
До появления работ Смолуховского и Фрейндлиха при рассмотрении электрокинетических явлений потенциалы ^ и 1F отождествлялись и предполагалось, что граница возможного перемещения фаз проходит между двумя обкладками ДС. Упомянутые авторы указали, что ионы, непосредственно прилегающие к поверхности, находясь в мощном силовом иоле последней, не способны к перемещению вдоль нее (рис. 4, заряд erf), так что в электрокинетических явлениях принимает участие лишь часть ионов диффузного слоя (заряд oj). Смолуховский (1921) и Фрейндлих (1932) предложили провести различие между термодинамическим и ^-потенциалом и под электрокинетическим потенциалом понимать лишь часть межфазного скачка потенциала, локализованную в той части ДС, в пределах которой жидкость вовлекается в тангенциальное движение. Фрейндлих предложил назвать эту величину электрокинетическим потенциалом. Он равен потенциалу диффузного слоя в плоскости скольжения, являющейся границей жидкости, вовлекаемой в электроосмотическое скольжение зрения можно понять
Рис. 5. Уменьшение толщины ДС и £-потенциала с ростом концентрации электролита (C1 > Ci).
(см. рис. 4). С этой точки почему зависимость термодинамического и электрокинетического потенциалов от концентрации потенциало-оиределяющих ионов различна. Различно и влияние на эти потенциалы индифферентного электролита, т. е. электролита, ионы которого не способны к взаимодействию с поверхностью электрода. Термодинамический потенциал почти не изменяется при введении индифферентного электролита, между тем как уменьшение толщины ДС при введении электролита должно приводить к уменьшению электрокинетического потенциала (рис. 5).
Не исключено, что при достаточно больших концентрациях электролита толщина ДС станет меньше расстояния плоскости скольжения до стенки б и ^-потенциал окажется исчезающе малым. Такое объяснение было дано экспериментальным данным об уменьшении £ и даже об исчезновении электрокинетических явлений при введении большого количества концентрированного электролита. Поскольку связь поверхностного заряда с потенциалом включает валентность ионов (1.19), теория Гун — Чепмена позволила выяснить и причину влияния валентности на ^-потенциал, которое будет обсуждено особо. Хотя изложенное выше свидетельствует в пользу теории Гун — Чепмена, последняя не лишена ряда недостатков, с устранением которых связано дальнейшее развитие теории строения ДС.
