Макет страницы
Таблица 11.9 Типы симметрии ровибронных уровней состояний
X2Au A2B1
| , B2B2 и CM2
| молекулы NO2
| D
|
X2A1
| A2B1
| S2A1
|
КаКс:
| v3
| v3
| v3
|
Чети. Нечетн.
| Чети. Нечети.
| Четн. Нечетн.
| Четн. Нечетн.
|
ее:
| A, (B2)
| (B1) A1
| (B1) А,
| A1 (B1)
|
оо:
| A2 (B1)
| (B1) A1
| (B1) A1
| A1 (B2)
|
ео:'
| (Bi) A2
| A, (B1)
| A2 (B1)
| (B1) A1
|
ое:
| (B2) A1
| A2 (B1)
| A1 (B2)
| (B1) A2
|
Для '4N16O2 состояния, заключенные в скобки, отсутствуют.
ниана, не зависящим от спинов, могут взаимодействовать. При этом преобладают лишь некоторые из матричных элементов, рассмотренные ниже. Следует, однако, иметь в виду, что небольшой интервал между взаимодействующими состояниями может быть таким же важным фактором, как и величина матричного элемента взаимодействия, и поэтому взаимодействие между уровнями, связанными малым матричным элементом, но разделенными малым интервалом, также может быть существенным.
Рассмотрим сначала возможные вибронные взаимодействия. Преобладающее вибронное взаимодействие, описываемое матричным элементом Н\ [см. (11.83) — (11.87)], связывает электронные состояния, произведение типов симметрии которых - содержит тип симметрии некоторого колебания, а квантовое число этого колебания для вибронных состояний отличается па единицу. Произведение типов симметрии электронных состояний A2Bx и C2A2 содержит тип симметрии антисимметричного валентного колебания, однако электронные конфигурации этих состояний отличаются на две орбитали, и поэтому вибронная связь между ними слабая (и зависит от степени конфигурационного взаимодействия); см. замечания перед формулой (11.88). Произведение типов симметрии электронных состояний K2Ai и B2B2 также содержит тип симметрии антисимметричного валентного колебания, и электронные конфигурации в этих состояниях отличаются только на одну орбиталь. Поэтому колебательные уровни, отвечающие правилу отбора Av3 = ±1 электронных состояний К и В, могут быть связаны большим матричным эле-
